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DDR5内存为啥超频难、限制多?一文讲透!

DDR5内存相比DDR4很多人感觉超频更难,尤其是内存、小参优化更复杂,使用限制也更多,这是为什么呢?其实,这与DDR5的新技术和生态现状密切相关。

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DDR5内存规范中的工作电压为1.1V(XMP/EXPO配置多为1.35V~1.45V),但具体涉及到内存的电压其实多达5处(CPU有3处、内存有2处),而留给用户的电压调节空间却小了很多,超频稍不注意就容易不稳。加上DDR5引入了板载电源管理芯片PMIC——这个原本在主板上的芯片来提升电源效率,但是对超频来说,将其转移到DDR5内存本体上让调节电压成了越发困难的事情。

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同时,DDR5内存颗粒的体质差异也很大,像三星C-die超频潜力一般,而SK海力士M-die更强等等。此外,DDR5高速率(如4800MT/s起甚至9000MT/s+)往往伴随高时序(CL40+),频率和延迟的优化平衡让超频更像“技术活”。

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DDR5生态早期,主板和CPU(如Intel 12代/13代或AMD Zen 4)的内存控制器支持不够完善,BIOS更新频繁,兼容性问题多——甚至会出现部分版本BIOS因为修改了CPU供电电压预设,导致原本支持的高频内存出现不稳定情况,用户只能刷回老版本(所以为什么有些老玩家会推荐电脑使用没有问题就不推荐刷新版BIOS)。

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更难绷的是在新一代CPU上,DDR5内存依旧存在着这样那样的制约——Intel 酷睿Ultra 200系列因为修改了核心结构设计,虽然能够支持更高速率的DDR5内存,但是延迟大幅增加;AMD 锐龙 9000系列相比于锐龙7000/8000系列内存控制器变化不大,内存带宽表现一直是相对弱项。换句话说,现在没有任何一个平台可以100%完美释放DDR5内存的基本性能。

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此外,因为DDR5内存的速率提升,它对主板的布线设计也提出了更高要求,一些主板可能无法稳定支持高频DDR5,尤其是在四条内存或双通道配置下,超频难度更大——千万别小看PCB布线设计,这需要极为深厚的设计经验,小厂只能照本宣科设计,不敢进一步优化布线;另外就是非旗舰主板也没有必要在这方面下注更多财力、精力。

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如果你希望自己的DDR5内存超频成功率高一点,做好以下几点是必不可少的:

选好颗粒:优先SK海力士M-die或美光颗粒,超频潜力大,超低价内存、尤其是杂牌内存慎买;

调节电压:耐心调整五个电压参数,分别为CPU的SA电压(1.25V~1.35V,决定IMC稳定性)、VDDQ电压(又称 IVR,1.40V~1.45V,影响数据总线)、VDD2 电压(又称 MCV,1.35V~1.40V,控制命令总线),以及内存上的两个电压DRAM VDD 、VDDQ,偶尔还要用到 VPP。需要注意遵循“VDDQ≥VDD2+0.05V”的补偿关系,否则会导致tRCD/tRP时序异常;

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优化时序小参:时序小参同样非常繁琐,需要极大的耐心,以最小步进进行测试优化

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注意散热:优质散热片或风冷辅助,保持温度稳定,DDR5内存多了PMIC芯片,其工作温度阈值为85℃,保持内存工作温度≤65℃为最好的状态——每降低5℃可提升100MT/s超频余量;

选好主板:高端主板(如Z790或X670E)内存布线更强,超频支持更好。部分品牌中高端主板提供超频预制方案,使用更加简单。

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